IPI040N06N3GXKSA1 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = PG-TO262-3; Napięcie dren-źródło = 60V; Prąd drenu = 90A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 4m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 188W; Polaryzacja = unipolarny; Technologia = OptiMOS™ 3; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V
