STP9NK65Z Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = STMicroelectronics; Montaż = THT; Obudowa = TO220-3; Napięcie dren-źródło = 650V; Prąd drenu = 6,4A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 1,2?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 125W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 41nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Prąd drenu w impulsie = 25,6A
