IPD12CN10NGATMA1 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = SMD; Obudowa = PG-TO252-3; Napięcie dren-źródło = 100V; Prąd drenu = 67A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 12,4m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 125W; Polaryzacja = unipolarny; Technologia = OptiMOS™ 2; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V
