SIR422DP-T1-GE3 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = PowerPAK® SO8; Napięcie dren-źródło = 40V; Prąd drenu = 40A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 6,6m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 22,2W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 48nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu w impulsie = 70A
