PJT7600_R1_00001 Tranzystor N/P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = PanJit Semiconductor; Montaż = SMD; Obudowa = SOT363; Napięcie dren-źródło = -20/20V; Prąd drenu = -700mA/1A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 400/600m?; Typ tranzystora = N/P-MOSFET; Moc rozpraszana = 0,35W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 1,6/2,2nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±8V; Prąd drenu w impulsie = -2,8...4A
