Inna
IXTQ130N20T Tranzystor N-MOSFET
154,11 zł
Darmowa dostawa
erli.pl Zobacz w sklepie Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = IXYS; Montaż = THT; Obudowa = TO3P; Czas gotowości = 150ns; Napięcie dren-źródło = 200V; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu = 75A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 16m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 830W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = thrench gate power mosfet; Ładunek bramki = 150nC; Technologia = Trench™; Rodzaj kanału = wzbogacany; Prąd drenu w impulsie = 320A