DMN3009SK3-13 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = DIODES INCORPORATED; Montaż = SMD; Obudowa = TO252; Napięcie dren-źródło = 30V; Prąd drenu = 16A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 9m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 3,4W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 42nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu w impulsie = 100A
