SI4599DY-T1-GE3 Tranzystor N/P-MOSFET x1szt
Opis
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = SO8; Napięcie dren-źródło = 40/-40V; Prąd drenu = 6,8/-5,8A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 62/42,5m?; Typ tranzystora = N/P-MOSFET; Moc rozpraszana = 3,1/3W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 38/20nC; Technologia = TrenchFET; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V
