G3R160MT12D Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = GeneSiC SEMICONDUCTOR; Montaż = THT; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Prąd drenu = 16A; Rodzaj opakowania = tuba; Rezystancja w stanie przewodzenia = 160m?; Ładunek bramki = 28nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Obudowa = TO247-3; Technologia = SiC, G3R™; Napięcie dren-źródło = 1,2kV; Moc rozpraszana = 123W; Prąd drenu w impulsie = 40A; Napięcie bramka-źródło = -5...15V
