IXTY18P10T Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = IXYS; Montaż = SMD; Polaryzacja = unipolarny; Typ tranzystora = P-MOSFET; Rezystancja w stanie przewodzenia = 120m?; Obudowa = TO252; Rodzaj opakowania = tuba; Napięcie dren-źródło = -100V; Prąd drenu = -18A; Ładunek bramki = 39nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±15V; Moc rozpraszana = 83W; Czas gotowości = 62ns; Technologia = TrenchP™
