IRFB4310ZPBF Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES Montaż = THT Obudowa = TO220AB Napięcie dren-źródło = 100V Prąd drenu = 127A Rezystancja w stanie przewodzenia = 6m? Typ tranzystora = N-MOSFET Moc rozpraszana = 250W Polaryzacja = unipolarny Rodzaj opakowania = tuba Ładunek bramki = 0,12µC Technologia = HEXFET® Rodzaj kanału = wzbogacany Napięcie bramka-źródło = ±20V
