SISS27DN-T1-GE3 Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = PowerPAK 1212-8; Napięcie dren-źródło = -30V; Prąd drenu = -50A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 9m?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 36W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 0,14µC; Technologia = TrenchFET; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu w impulsie = -200A
