STP9NK60Z Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = STMicroelectronics Montaż = THT Obudowa = TO220-3 Napięcie dren-źródło = 600V Prąd drenu = 4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,95? Typ tranzystora = N-MOSFET Moc rozpraszana = 125W Polaryzacja = unipolarny Rodzaj opakowania = tuba Wersja = ESD Technologia = SuperMesh™ Rodzaj kanału = wzbogacany Napięcie bramka-źródło = ±30V
