FDN5630 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Obudowa = SuperSOT-3; Napięcie dren-źródło = 60V; Prąd drenu = 1,7A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,18?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 0,5W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Właściwości elementów półprzewodnikowych = logic level; Ładunek bramki = 10nC; Technologia = PowerTrench®; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V
