SPB80P06PGATMA1 Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = SMD; Obudowa = PG-TO263-3; Napięcie dren-źródło = -60V; Prąd drenu = -80A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 23m?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 340W; Polaryzacja = unipolarny; Technologia = SIPMOS™; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V
