IKW20N60H3FKSA1 Tranzystor IGBT
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO247-3; Struktura półprzewodnika = pojedynczy tranzystor; Napięcie kolektor-emiter = 600V; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora = 20A; Prąd kolektora w impulsie = 80A; Czas załączania = 28ns; Czas wyłączania = 205ns; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 85W; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = integrated anti-parallel diode; Ładunek bramki = 120nC; Technologia = TRENCHSTOP™
