GT30J121(Q) Tranzystor IGBT
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = TOSHIBA; Montaż = THT; Napięcie kolektor-emiter = 600V; Prąd kolektora = 30A; Obudowa = TO3PN; Typ tranzystora = IGBT; Rodzaj opakowania = tuba; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora w impulsie = 60A; Czas załączania = 240ns; Czas wyłączania = 430ns; Moc rozpraszana = 170W
