P10F60HP2-5600 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = SHINDENGEN; Montaż = THT; Rodzaj opakowania = luzem; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Prąd drenu = 10A; Napięcie dren-źródło = 600V; Rezystancja w stanie przewodzenia = 800m?; Ładunek bramki = 23nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Moc rozpraszana = 85W; Prąd drenu w impulsie = 40A; Obudowa = FTO-200AG (SC91); Technologia = Hi-PotMOS2
