FDC6401N Tranzystor N-MOSFET x2
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Obudowa = SuperSOT-6; Napięcie dren-źródło = 20V; Prąd drenu = 3A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 106m?; Typ tranzystora = N-MOSFET x2; Moc rozpraszana = 0,96W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 4,6nC; Technologia = PowerTrench®; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±12V
