IRFBG30PBF Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = VISHAY; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Napięcie dren-źródło = 1kV; Prąd drenu = 2A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 5?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 125W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 80nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V
