FQA8N100C Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = ONSEMI; Montaż = THT; Obudowa = TO3PN; Napięcie dren-źródło = 1000V; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Prąd drenu = 5A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 1,45?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 225W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Rodzaj kanału = wzbogacany
