IXTT8P50 Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = IXYS; Montaż = SMD; Polaryzacja = unipolarny; Typ tranzystora = P-MOSFET; Rezystancja w stanie przewodzenia = 1,2?; Rodzaj opakowania = tuba; Prąd drenu = -8A; Ładunek bramki = 130nC; Napięcie dren-źródło = -500V; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Obudowa = TO268; Czas gotowości = 400ns; Moc rozpraszana = 180W
