STB7NK80ZT4 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = STMicroelectronics; Montaż = SMD; Obudowa = D2PAK; Napięcie dren-źródło = 800V; Prąd drenu = 3,3A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 1,8?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 125W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Właściwości elementów półprzewodnikowych = ESD protected gate; Technologia = SuperMesh™; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±30V
