2SJ168(TE85L,F) Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = TOSHIBA; Montaż = SMD; Obudowa = SC59; Napięcie dren-źródło = -60V; Prąd drenu = -200mA; Rezystancja w stanie przewodzenia = 2?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 0,2W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V
