BSL308PEH6327XTSA1 Tranzystor P-MOSFET x2
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = SMD; Obudowa = PG-TSOP-6; Napięcie dren-źródło = -30V; Prąd drenu = -2A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 80m?; Typ tranzystora = P-MOSFET x2; Moc rozpraszana = 0,5W; Polaryzacja = unipolarny; Właściwości elementów półprzewodnikowych = ESD protected gate; Technologia = OptiMOS™ P3; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V
