TP0610K-T1-GE3 Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = SOT23; Napięcie dren-źródło = -60V; Prąd drenu = -0,185A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 9?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 0,14W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Właściwości elementów półprzewodnikowych = ESD protected gate; Ładunek bramki = 1,7nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu w impulsie = -800A
