ECH8695R-TL-W Tranzystor N-MOSFET x2
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Obudowa = ECH8; Struktura półprzewodnika = wspólny dren; Napięcie dren-źródło = 24V; Prąd drenu = 11A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 9,1m?; Typ tranzystora = N-MOSFET x2; Zastosowanie = kontrola ładowania akumulatora; Moc rozpraszana = 1,4W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Właściwości elementów półprzewodnikowych = ESD protected gate; Ładunek bramki = 10nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±12,5V; Prąd drenu w impulsie = 60A
