TK6A80E,S4X(S Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = TOSHIBA; Montaż = THT; Obudowa = TO220FP; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Prąd drenu = 6A; Napięcie dren-źródło = 800V; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 32nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Moc rozpraszana = 45W; Rezystancja w stanie przewodzenia = 1,35?; Prąd drenu w impulsie = 18A
