FDD3860 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Obudowa = DPAK; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Prąd drenu = 6,2A; Napięcie dren-źródło = 100V; Ładunek bramki = 31nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Technologia = PowerTrench®; Rezystancja w stanie przewodzenia = 64m?; Moc rozpraszana = 83W; Prąd drenu w impulsie = 60A
