FDP20N50F Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = ONSEMI; Montaż = THT; Obudowa = TO220-3; Napięcie dren-źródło = 500V; Prąd drenu = 12,9A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,26?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 250W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 65nC; Technologia = DMOS, UniFET™; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Prąd drenu w impulsie = 80A
