SUP10250E-GE3 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = VISHAY; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Napięcie dren-źródło = 250V; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu = 36,3A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 32,5m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 125W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 88nC; Rodzaj kanału = wzbogacany
