BSS123IXTSA1 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = SMD; Obudowa = SOT23; Napięcie dren-źródło = 100V; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu = 0,15A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 10?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 0,5W; Polaryzacja = unipolarny; Cena jednostkowa = Nie; Ładunek bramki = 0,63nC; Technologia = OptiMOS™; Rodzaj kanału = wzbogacany; Prąd drenu w impulsie = 0,77A
