IRF1404PBF Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Napięcie dren-źródło = 40V; Rodzaj opakowania = tuba; Rezystancja w stanie przewodzenia = 4m?; Ładunek bramki = 160nC; Prąd drenu = 162A; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Technologia = HEXFET®; Moc rozpraszana = 200W
