FDC638P Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Obudowa = SuperSOT-6; Napięcie dren-źródło = -20V; Prąd drenu = -4,5A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 72m?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 1,6W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 14nC; Technologia = PowerTrench®; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±8V
