IXA20PG1200DHGLB Moduł IGBT dioda/tranzystor półmostek IGBT Urmax 1,2kV SMT
Opis
Producent = IXYS; Obudowa = SMPD-B; Napięcie wsteczne maks. = 1,2kV; Struktura półprzewodnika = dioda/tranzystor; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora = 23A; Prąd kolektora w impulsie = 45A; Moc rozpraszana = 130W; Cena jednostkowa = Nie; Montaż elektryczny = SMT; Typ modułu = IGBT; #Akcje #promocyjne = ixys_202106, aac_202202; Technologia = ISOPLUS™, Sonic FRD™; Topologia = półmostek IGBT
