IPA083N10NM5SXKSA1 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO220FP; Napięcie dren-źródło = 100V; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu = 35A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 8,3m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 36W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Technologia = OptiMOS™ 3; Rodzaj kanału = wzbogacany; Prąd drenu w impulsie = 200A
