IXTK200N10P Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = IXYS; Montaż = THT; Obudowa = TO264; Czas gotowości = 100ns; Napięcie dren-źródło = 100V; Prąd drenu = 200A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 7,5m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 800W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 240nC; Technologia = PolarHT™; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V
