IKP10N60TXKSA1 Tranzystor IGBT
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Struktura półprzewodnika = pojedynczy tranzystor; Napięcie kolektor-emiter = 600V; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora = 10A; Prąd kolektora w impulsie = 30A; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 110W; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = integrated anti-parallel diode; Ładunek bramki = 62nC
