STB11NK50ZT4 Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = STMicroelectronics; Montaż = SMD; Obudowa = D2PAK; Napięcie dren-źródło = 500V; Prąd drenu = 6,3A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,52?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 125W; Polaryzacja = unipolarny; Właściwości elementów półprzewodnikowych = ESD protected gate; Technologia = SuperMesh™; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Prąd drenu w impulsie = 40A
