IRFP4227PBF Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO247AC; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Napięcie dren-źródło = 200V; Prąd drenu = 65A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 25m?; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 70nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Technologia = HEXFET®; Moc rozpraszana = 330W
