IXFH80N65X2-4 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = IXYS; Montaż = THT; Obudowa = TO247-4; Czas gotowości = 200ns; Napięcie dren-źródło = 650V; Prąd drenu = 80A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 38m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 890W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 0,14µC; Technologia = HiPerFET™, X2-Class; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±30V
