IRFB5620PBF Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Napięcie dren-źródło = 200V; Prąd drenu = 25A; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 25nC; Rezystancja w stanie przewodzenia = 72,5m?; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Technologia = HEXFET®; Moc rozpraszana = 144W
