DMG1016V-7 Tranzystor N/P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = DIODES INCORPORATED; Montaż = SMD; Obudowa = SOT563; Napięcie dren-źródło = 20/-20V; Prąd drenu = 0,63/-0,46A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,4/0,7?; Typ tranzystora = N/P-MOSFET; Moc rozpraszana = 0,53W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Właściwości elementów półprzewodnikowych = ESD protected gate; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±6V
