IGW25N120H3FKSA1 Tranzystor IGBT
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO247-3; Struktura półprzewodnika = pojedynczy tranzystor; Napięcie kolektor-emiter = 1,2kV; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora = 50A; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 326W; Rodzaj opakowania = tuba; Seria producenta = H3; Technologia = TRENCHSTOP™ 3
