IPS80R900P7AKMA1 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Prąd drenu = 3,9A; Napięcie dren-źródło = 800V; Ładunek bramki = 15nC; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,9?; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Moc rozpraszana = 45W; Technologia = CoolMOS™ P7; Właściwości elementów półprzewodnikowych = ESD protected gate; Obudowa = IPAK SL
