NTH4L080N120SC1 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = ONSEMI; Montaż = THT; Obudowa = TO247-4; Napięcie dren-źródło = 1,2kV; Prąd drenu = 21A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 80m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 28W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = wyprowadzenie Kelvina; Ładunek bramki = 56nC; Technologia = SiC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = -15...25V; Prąd drenu w impulsie = 125A
