IRFPE50PBF Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = VISHAY; Montaż = THT; Obudowa = TO247AC; Napięcie dren-źródło = 800V; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu = 4,9A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 1,2?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 190W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 200nC; Rodzaj kanału = wzbogacany
