B2M065120H Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = BASiC SEMICONDUCTOR; Montaż = THT; Obudowa = TO247-3; Napięcie dren-źródło = 1,2kV; Prąd drenu = 33A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 65m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 250W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 60nC; Technologia = SiC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = -4...18V; Prąd drenu w impulsie = 85A
