IRFB4019PBF Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES Montaż = THT Obudowa = TO220AB Napięcie dren-źródło = 150V Prąd drenu = 17A Rezystancja w stanie przewodzenia = 95m? Typ tranzystora = N-MOSFET Moc rozpraszana = 80W Polaryzacja = unipolarny Rodzaj opakowania = tuba Ładunek bramki = 13nC Technologia = HEXFET® Rodzaj kanału = wzbogacany Napięcie bramka-źródło = ±20V
