PMZ350UPEYL Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = NEXPERIA; Montaż = SMD; Obudowa = DFN1006-3, SOT883; Napięcie dren-źródło = -20V; Prąd drenu = -700mA; Rezystancja w stanie przewodzenia = 645m?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Właściwości elementów półprzewodnikowych = ESD protected gate; Ładunek bramki = 1,9nC; Technologia = Trench; Rodzaj kanału = wzbogacany; Prąd drenu w impulsie = -2,8A
